Search Results (All Fields:"transistor", Keywords:"Electrónica", Author:"Fernando Yeves Gutiérrez", isMemberOf:"oaingeec:ing-elec-col-02721ff70b004")

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Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 494 101
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 473 93
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 456 98
Transistor FET. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 1234 128
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 504 102
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 591 107
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 737 118
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 625 122
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 802 186
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 490 94
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 601 116
Equivalente en alterna en pequeña señal del transistor BJT. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 644 110
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 736 123
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 617 105
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 499 97
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 539 109
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 701 156
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 474 94
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 471 89
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 508 89
Transistor bipolar. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.89 726 113